ấy là một thất bại lớn, đặc biệt cho người Nhật Bản
người Nhật Bản đã khám phá ra EUV
các công ty Nhật Bản đã dẫn đầu ngành quang khắc trước khi ASML góp vui nhưng Nhật Bản không thể ra mắt EUV sớm
hành trình phát triển EUV thất bại của Nhật Bản đã phản ánh khó khăn cực lớn trong sản xuất những hệ thống EUV sẵn sàng cho thương mại hóa
Khởi đầu
năm 1986 tiến sĩ Hiroo Kinoshita hiện đang giảng dạy ở trường đại học Hyogo, bấy giờ làm ở NTT đã tuyên bố thành công in một mẫu mạch điện bằng cách sử dụng ánh sáng EUV và một hệ thống quang học phản chiếu
bấy giờ EUV chỉ là một trong nhiều ứng viên quang khắc thế hệ tiếp theo
những ứng viên khác là in thạch bản viết [in] trực tiếp bằng chùm điện tử, X-ray lân cận [proximity], chiếu chùm ion, chiếu chùm electron và 157 nanomet flor
ngành quang khắc Nhật Bản đã nghiên cứu hết nhưng EUV thì không phải ưu tiên chính
người Nhật Bản có vẻ nghiêng về X-ray lân cận, là cái mà những báo cáo về tiến triển ban đầu đã tập trung vào
người Nhật Bản không đơn độc: dự án EUV của bộ điện lực Mỹ đã kết thúc mà không có ai trong ngành công nghiệp làm tiếp
cuối năm 1997 SEMATECH đã xếp EUV vào vị trí ưu tiên thứ tư, còn tia X-ray là ưu tiên hàng đầu
Intel vào cuộc
công ty Intel đã xem những thử nghiệm ở các phòng thí nghiệm Nhật Bản và bộ điện lực
cho nên khi nhóm nghiên cứu phát triển EUV của bộ điện lực sắp sửa giải tán, công ty đã cấp kinh phí để giúp nhóm duy trì hoạt động
năm sau, Intel và các công ty bán dẫn Mỹ đã thành lập công ty trách nhiệm hữu hạn EUV là một hiệp hội bao trùm ngành để tài trợ 60 triệu đôla mỗi năm cho nghiên cứu phát triển nỗ lực thương mại hoá quang khắc EUV
Intel quan tâm EUV và việc thành lập công ty trách nhiệm hữu hạn EUV đã làm bất ngờ người Nhật Bản: không may vì nước Mỹ hạn chế người ngoại quốc tham gia - vì lịch sử địa chính trị - các nhà làm thiết bị quang khắc Nikon và Canon không được trực tiếp tự tham gia hiệp hội EUV
Nikon và Canon được phép tham gia việc đánh giá thiết kế và các nhóm dự án
người Nhật Bản đã phải nhanh chóng bẻ lái quay xe sang hướng đi riêng
năm 1998 bộ ngoại thương và công nghiệp Nhật Bản [MITI] khởi động chương trình quang khắc EUV riêng
Kế hoạch
dự tính ban đầu, dự án phát triển quang khắc EUV được chia 3 giai đoạn
1: từ năm 1998 đến 2001 phát triển những kỹ thuật cơ bản đằng sau quang khắc EUV và 3 bộ phận hệ thống là công cụ phơi sáng, mặt nạ và chất cản quang
tổ chức nghiên cứu được chính phủ tài trợ sẽ chịu trách nhiệm giai đoạn 1 là phòng thí nghiệm EUV ASET [hiệp hội những công nghệ điện tử siêu tiên tiến / association of super-advanced electronics technologies] hoàn toàn do MITI tài trợ
2: từ năm 2001 đến 2003 một tổ chức khác chịu trách nhiệm biến những công nghệ ASET thành mẫu chạy thực tế - ngành bán dẫn Nhật Bản sẽ tài trợ một phần kinh phí
3: đến năm 2006 ngành bán dẫn sẽ biến mẫu chạy thử thành sản phẩm bán ra thị trường - SELETE cũng nhà Nikon và Canon sẽ chịu trách nhiệm
SELETE [semiconductor leading edge technologies] là hiệp hội nghiên cứu phát triển Nhật Bản được ngành bán dẫn chi ngân sách hằng năm 90 triệu đôla để tập trung vào những kỹ thuật ứng dụng
Quang khắc
công cụ phơi sáng sẽ có một nguồn sáng EUV và một hệ quang học: bắn ánh sáng năng lượng cao, sau đó phản chiếu vào mặt nạ có thiết kế chip in trên mặt nạ
sau đó, ánh sáng có mẫu chip sẽ chiếu lên tấm wafer, được bọc bởi một chất hoá học nhạy sáng được gọi tên là chất cản quang [resist / quang trở]
chất cản quang sẽ phản ứng với ánh sáng để cho sau đó ta có thể sử dụng nó [ánh sáng] để khắc [etch] những đĩa wafer
mặc dù 3 hệ thống căn bản của máy quang khắc EUV vẫn chung nhau kế thừa lại triết lý hoạt động của những thế hệ tiền nhiệm, việc thiết kế [engineer] thực tế thì cần công việc mới tinh và nhiều, trong khi nguồn lực thì hạn chế
Công cụ phơi sáng - quang học
ASET cần phát triển những kỹ thuật cơ bản đằng sau nhiều hệ thống phụ của công cụ
trong đó không chỉ có nguồn sáng và những hệ thống phụ quang học ánh sáng [light optic], một trong những bộ phận tinh tế nhất của EUV, mà cả một số mảnh ghép nhỏ không tinh tế bằng nhưng vẫn quan trọng - như wafer cơ học và hệ thống phụ công nghệ gióng thắng wafer - để gióng wafer và mặt nạ chỉ cho phép sai khớp nửa nanomet
hệ thống phụ đo lường quang học - đo lường hiệu năng của những gương trong những bước phơi sáng
đứng trước những lựa chọn khó khăn, ASET đã chọn tập trung nguồn lực hạn chế vào việc sản xuất quang học - như việc bổ sung nhiều lớp phản quang của gương và làm sạch chúng, cũng như đo lường
Nguồn sáng công cụ phơi sáng
ASET chọn làm việc với quang học có nghĩa là không thể làm nguồn sáng của công cụ phơi sáng, một bộ phận cần thiết cho mảnh ghép - nhiệm vụ đã được giao cho một tổ chức công nghiệp mới thành lập năm 2001 là EUVA [hiệp hội phát triển hệ thống quang khắc EUV / extreme ultraviolet lithography system development association]
EUVA bao gồm cả giới hàn lâm và ngành công nghiệp: 5 công ty thiết bị Ushio, Canon, Nikon, Komatsu và Gigaphoton và 4 công ty sản xuất bán dẫn Toshiba, NEC, Fujitsu và Renesas
giới hàn lâm thì có học viện công nghệ Himeji, trường đại học Kumamoto, trường đại học Miyazaki và trường đại học Osaka
vì thế, bộ giáo dục, văn hoá, thể thao, khoa học và công nghệ là bộ giám sát các trường đại học của đảo quốc, cũng đã liên đới
người ta đã đề xuất 2 cách tiếp cận kỹ thuật tiềm năng để sản xuất ánh sáng EUV
1 là cách plasma sản sinh laser: bắn một laser vào một vật liệu để biến nó thành plasma phát xạ EUV - sau rốt ASML chọn cách này
2 là cách phóng điện sản xuất plasma: đầu tiên tạo một đám mây vật liệu, bên trong đám mây ta bắn những tia loé [spark] năng lượng cao giữa 2 điện cực để tạo ra plasma phát xạ ánh sáng
EUVA đã tìm hiểu cả 2 cách: cách laser được nghiên cứu ở trung tâm nghiên cứu Hiratsuka và cách phóng điện ở trung tâm nghiên cứu Gotenba
Chất cản quang
ở giai đoạn đầu, ASET cũng xử lý quang trở [photoresist] EUV
thử thách lớn nhất với chất cản quang EUV là vì ánh sáng EUV dễ bị hấp thụ: những vật liệu cản quang cũ, ánh sáng EUV chỉ có thể di chuyển 700 angstrom [một angstrom bằng một phần 10 tỷ mét] sâu vào lớp cản quang - thiếu 4000 angstrom độ sâu mà ngành bán dẫn đã quen thuộc để sản xuất những mẫu hình sẵn có
cho nên ngành phải phát triển một loạt những công nghệ mới để giải quyết: gọi tên là "ảnh lớp mỏng" [TLI / thin layer imaging]
ASET đã phối hợp với học viện công nghệ Himeji
Những mặt nạ
ASET cần những hệ thống phụ hoàn toàn mới để sản xuất những miếng trống mặt nạ gương - là những mặt nạ không có mẫu hình nào trên đó - đặt mẫu hình lên những miếng trống và làm sạch những bề mặt của những miếng trống
quan trọng là ASET cần có thể liên tục sản xuất những mặt nạ quang không-khuyết-tật: cực khó vì dung sai "thật không thể tin nổi"
đang nghiên cứu thì mục tiêu của ASET là chỉ 0.1 đến 1 khuyết tật mỗi centimet vuông - sau rốt thì họ cần đẩy lên 0.003 khuyết tật mỗi centimet vuông
chưa hết, hạn ngưỡng cho một khuyết tật trên một miếng trống mặt nạ là một sai lệch chỉ vài nanomet
lý do nữa cho khó khăn là vì ánh sáng DUV trước đó ta sử dụng để phát hiện những khuyết tật ấy không thể xâm nhập đủ sâu vào lớp gương của miếng trống
ta phải sử dụng chính EUV để thẩm tra - công đoạn công nghiệp là ánh sáng "actinic" [quang hoá]
bộ MITI đã quyết định thành lập một tổ chức riêng biệt riêng cho công đoạn này của tiến trình EUV: tập đoàn đo lường/thẩm tra liên quan đến mặt nạ và quang khắc - nằm trong một hiệp hội nghiên cứu có tên là MIRAI
Quay xe
nỗ lực EUV Nhật Bản đã vượt quá khả năng quản lý của bất cứ tổ chức nghiên cứu đơn lẻ nào
năm 2005 là bước ngoặt của chương trình, có 4 hiệp hội nghiên cứu tập trung vào công đoạn riêng của máy EUV
ASET xử lý chất cản quang, kiểm soát vấy bẩn [vấy bẩn gương] và làm những mặt nạ gương nhiều lớp
EUVA xử lý nguồn sáng của công cụ phơi sáng cũng như một số đồ quang học
hiệp hội nữa tên là "dự án dẫn đầu" [leading project] xử lý hợp tác liên-trường-đại-học về những nguồn sáng
MIRAI xử lý hệ thống phụ phát hiện kiểm soát khuyết tật mặt nạ
ngược lại, dự án quang khắc EUV Mỹ đã có một tổ chức duy nhất giám sát việc thương mại hoá ban đầu: là EUV LLC [limited libility corp]
EUV LLC hoạt động từ năm 1997 đến 2003 sau đó chuyển qua cho ASML tiếp quản từ công ty Silicon Valley Group Lithography
kết thúc chương trình, nhóm EUV LLC đã hoàn thiện tất cả những mục tiêu và có một mẫu đầu tiên [prototype] đại loại hoạt động được: Engineering Test Stand
những chương trình Mỹ và Nhật Bản chia sẻ thông tin lẫn nhau nên người Nhật Bản hưởng lợi từ khả năng theo dấu chân người Mỹ trong mảng EUV
Kế hoạch phát triển công cụ
năm 2005 kế hoạch phát triển EUV của Nhật Bản là cho quang khắc EUV quy mô lớn để đáp ứng tiến trình xử lý 45 nanomet năm 2010
một số công đoạn của dự án đã kịp tiến độ: năm 2005 MIRAI đã sản xuất được một công cụ thẩm tra miếng trống "actinic" có thể phát hiện ánh sáng EUV bị "lọt sàng xuống nia" bởi những khuyết tật miếng trống [blank defect]
vậy là sản phẩm thẩm tra thì bấy giờ căn bản đã sẵn sàng, nhưng công cụ phơi sáng EUV và linh kiện thì vẫn phải đợi Canon và Nikon: 2 công ty muốn bắt đầu bằng việc sản xuất một mẫu đầu tiên [prototype] vùng hứng sáng nhỏ [small-field]
với mẫu hình có vùng hứng sáng nhỏ, vùng hứng sáng chỉ 200 x 600 micromet, làm thiết bị thích hợp hơn cho thẩm nghiệm những bộ phận khác của hệ thống EUV như chất cản quang và mặt nạ
về phần mình, các phòng thí nghiệm Lawrence Livermore và Lawrence Berkeley quốc gia đã hợp tác với Carl Zeiss để ra mắt giữa năm 2011
thiết bị vùng hứng sáng nhỏ được gọi tên là MET [công cụ phơi sáng cỡ micromet / micro exposure tool]
sau đó ta sản xuất một mẫu đầu tiên [prototype] vùng hứng sáng hoàn thiện [full-field] nữa là máy alpha
máy có một vùng hứng sáng có kích thước bằng hoặc gần với kích cỡ vùng hứng sáng của máy sản xuất hàng loạt: 26 x 33 milimet
khởi động năm 2005 Nhật Bản cần làm cực nhanh để đáp ứng tiến trình 45 nanomet năm 2010
một hệ thống EUV hoàn thiện phải sẵn sàng đâu đó năm 2008 hoặc 2009 - có nghĩa là mẫu đầu tiên có vùng hứng sáng nhỏ phải xong cuối năm 2005 và mẫu vùng hứng sáng hoàn thiện là máy alpha xong năm 2006
và một máy beta nâng cấp lên từ máy alpha phải ra mắt năm 2007
bấy giờ ASML đã sắp xong máy Alpha Demo Tool riêng
2 sản phẩm công cụ ấy sẽ phải ra mắt tháng 8 năm 2006 ở Bỉ cho học viện nghiên cứu IMEC và trường đại học bang của thành phố New York
Canon chạy làng
Canon kém hơn Nikon, bắt đầu nỗ lực EUV nhưng vẫn chưa thành thạo quang khắc nhúng 193 nanomet
năm 2006 Canon và EUVA hoàn thiện công cụ quang khắc mẫu đầu tiên vùng hứng sáng nhỏ: SFET và cài đặt máy ở một trung tâm nghiên cứu phát triển để thẩm nghiệm
máy SFET tạo ra ánh sáng EUV bằng cách bắn một laser krypton flor 248 nanomet vào một vòi phun khí xenon
bấy giờ công ty tin rằng họ sẽ có thể bắt đầu sản xuất mẫu đầu tiên có vùng hứng sáng hoàn thiện 6 gương: máy VS2 từ năm 2009 và sẽ xong năm 2011
Canon bắt đầu thiết kế VS2 nhưng khó giải quyết những vấn đề EUV cốt lõi như tăng mức năng lượng EUV, sản xuất những mặt nạ không khuyết tật và kéo dài tuổi thọ của hệ thống quang học
khủng hoảng tài chính nổ ra và Canon - nhà sản xuất máy ảnh kỹ thuật số lớn nhất thế giới - ảnh hưởng nặng: lợi nhuận tụt giảm hơn 60%
Canon trì hoãn kế hoạch nhà máy máy ảnh mới ở Nhật Bản
năm 2008 tổng chi phí nghiên cứu phát triển quang khắc đã hơn 600 triệu đôla một năm nên Canon có lẽ đã quyết định sống chậm lại
sau rốt thị trường đã hồi phục đủ để nhà máy máy ảnh được xây tiếp nhưng Canon chưa bao giờ xong VS2 và theo tác giả biết thì đã thôi không theo đuổi chuỗi công nghệ quang khắc
hiện tại Canon vẫn chỉ bán ra những hệ thống không-nhúng KrF hay còn gọi là quang khắc 'khô'
Nikon dấn thân
năm 2001 đến 2004 Nikon làm với ASET để sản xuất 3 phiên bản công cụ mẫu đầu tiên EUV vùng hứng sáng nhỏ: tên là HiNA [công cụ khẩu độ số cao / high numerical aperture tool]
tháng 4 năm 2006 Nikon cảm thấy đủ sẵn sàng để sản xuất công cụ phơi sáng có vùng hứng sáng hoàn thiện đầu tiên: một hệ thống 6 gương là EUV1
thiết bị alpha này được hoàn thiện và cài đặt ở một trung tâm nghiên cứu của hiệp hội bán dẫn Nhật Bản SELETE và bắt đầu hoạt động tháng 1 năm 2008
tiến bộ đã bị trễ 1.5 năm sau máy Alpha Demo Tool năm 2006 của ASML
chiểu theo kế hoạch năm 2005 thì thiết bị beta đáng lẽ xong rồi, nhưng ra mắt được EUV1 thì vẫn là thành tựu lớn
Nikon EUV1
rõ ràng EUV1 là máy quang khắc tiên tiến đầu tiên của châu Á nhưng chắc chắn chưa thể cạnh tranh thương mại
việc cài đặt EUV1 bị muộn đã đẩy kế hoạch ra mắt EUV quy mô lớn bị trễ không kịp cho tiến trình 45 nanomet mà dành lại cho tiến trình 32 nanomet, thậm chí đã có đối thoại là sẽ trễ lại cho 28 hoặc 22 nanomet
đây là vấn đề lớn vì tiến trình càng tiên tiến thì máy EUV và nguồn sáng của máy càng phải mạnh, trong khi công suất điện của nguồn sáng EUV1 là một trong những nhược điểm lớn nhất
EUV1 sử dụng một plasma sản-xuất-bằng-phóng-điện [discharge-produced plasma / DPP] là công cụ thay thế tạm được sản xuất bởi công ty USHIO ở Nhật Bản và công ty con XTREME trụ sở Đức của USHIO
ý tưởng đằng sau cách tiếp cận DPP là giật một tia sét xuyên qua một luồng hơi Xenon để sản sinh những photon EUV
cách DPP được coi là tiết kiệm điện hơn, nhỏ hơn và có vẻ "sạch" hơn hơn plasma sản xuất bằng điện tử, nhưng gặp khó để xuất ra nhiều năng lượng bằng đối thủ công nghệ
nguồn sáng càng có ít năng lượng thì tấm wafer càng cần phơi sáng lâu hơn dưới nguồn sáng - làm chậm xuất lượng
năng lượng nguồn sáng của EUV1 bị cap ở 100 watt - mục tiêu trung hạn là 110-180 watt và mục tiêu sau rốt để sản xuất quy mô lớn là 250 watt
để đạt mục tiêu, cần một thay đổi hệ thống lớn: đổi Xenon bằng thiếc
theo thiết kế, môđun nguồn sáng EUV cho DPP dựa-vào-thiếc sẽ có 2 điện cực hình-dạng-bánh-xe đường kính 20 cm sắp hàng cùng nhau
mỗi điện cực bị treo lơ lửng bên trên một bể thiếc nóng chảy
khi sử dụng, những điện cực sẽ xoay sao cho các cạnh bánh xe chớm chạm bề mặt của bể
một laser công suất thấp sẽ bắn những từng nhịp nhanh vào các cạnh của bánh xe, hoá hơi thiếc và hình thành một đám mây các phân tử thiếc trôi nổi xung quanh
sau đó những điện cực bánh xe sẽ phóng điện một dòng điện lớn, khiến đám mây tự tan biến như một ngôi sao chết: nung nóng đám mây lên nhiệt độ 20 vạn độ C
đám mây thiếc tan biến [collapse] sau đó sẽ phóng xạ những photon EUV
công cụ thay thế tạm thì đúng là rất tiện, nhưng vẫn khó với những vấn đề vấy bẩn [vấy bẩn gương] cũng như khả năng sản xuất đủ năng lượng để khả dụng kinh tế
dự án kết thúc mà không giải quyết được những trở ngại ấy
ASML cũng thử cách DPP nhưng đã ngừng năm 2013: mức năng lượng đã không đạt đủ mức thích đáng trước khi ASML tiên phong phương pháp bắn 2 phát laser [laser double-shot]
cho nên, có vẻ Nikon cũng định đổi nguồn sáng sang cách plasma sản xuất bằng laser - đối tác cung cấp chính có lẽ sẽ là Gigaphoton một công ty chuyên làm laser đã làm việc để ra một nguồn sáng như thế từ năm 2002
Vấy bẩn
các thử nghiệm ở SELETE thực hiện hợp tác với Intel đã cho thấy EUV1 có thể sản xuất những đường kẻ dọc xinh xẻo cách nhau 26-33 nanomet chiều rộng
nhưng thiết bị gặp khó với kiểm soát vấy bẩn [vấy bẩn gương]
ánh sáng EUV liên tục đập vào bề mặt của gương đã tạo ra những vấy bẩn cacbon, từ từ huỷ hoại khả năng phản chiếu của gương
tuy nhiên, nhóm EUV sau đó gặp khó xử lý một vấy bẩn kỳ lạ, bắt nguồn từ hợp chất siloxane [organosilicon hoặc polysiloxan]
năm 2011 Nikon vẫn khó khăn khắc phục những vấn đề vấy bẩn lan rộng này
Hết
sau khi thử nghiệm thành công EUV1, Nikon đã tiếp tục công cụ EUV tiếp theo: EUV2 kế hoạch hoàn thiện năm 2011-2012 kịp lúc cho 32 nanomet
tuy nhiên, rõ ràng ASML đã vượt lên, trước đó mới dẫn 18 tháng thì bấy giờ đã thành 2 năm
khủng hoảng tài chính năm 2009 Nikon cắt giảm ngân sách nghiên cứu phát triển
tin đồn là Nikon đã hoàn toàn ngừng phát triển EUV: phát ngôn viên công ty phủ nhận nhưng không xác nhận là EUV2 sẽ tiếp tục được phát triển nội bộ, chỉ nói là năm 2013 sản phẩm EUV3 sẽ ra mắt
năm 2010 khó khăn: doanh số máy quang khắc trong ngành chip và LCD sụt giảm nửa qua từng năm
dù sao công ty đã tiếp tục thực hiện nghiên cứu nội bộ đến năm 2011
năm 2011 công ty có một biểu đồ thể hiện đang nhắm đến 16 - 11 nanomet vào năm 2016 - đấy cũng là báo cáo đáng kể cuối cùng về tiến triển của Nikon về EUV2 và EUV3 mà tác giả tìm được
tháng 7 năm 2012 Intel tuyên bố đồng ý đầu tư 4 tỷ đôla vào ASML đổi lại 15% cổ phần - cổ phiếu Nikon giảm giá 7% sau khi thương vụ công bố
Intel từng là khách hàng lớn thứ nhì của Nikon chỉ sau Samsung - công ty Intel của Mỹ vẫn nổi tiếng mua hàng máy quang khắc từ nhiều nhà cung cấp - nhưng sau rốt thì thị trường nhận ra là thương vụ đồng nghĩa là Intel sẽ chỉ xài hàng ASML
năm 2011 Nikon chi tổng cộng 28.4 tỷ yên tương đương 355 triệu đôla nghiên cứu phát triển và đầu tư vốn cho công nghệ quang khắc
Nikon có lẽ đã quyết định là không có Intel là khách hàng quan trọng thì không đáng phải chi cả trăm triệu đôla mỗi năm để tiếp tục đeo đuổi EUV
EUV3 không kịp ngày ra mắt năm 2012
Chưa ngã ngũ
Nhật Bản chưa phải đã xong, nhiều nỗ lực linh kiện đã trở thành những mảng kinh doanh khả thi, kỹ thuật tiên tiến
ví dụ ta vẫn có công cụ thẩm tra miếng trống [blank] actinic từ MIRAI hợp tác với công ty Lasertec Nhật Bản
công ty Nhật Bản vẫn nắm vị trí thống trị những lĩnh vực chất cản quang EUV: JSR, ShinEtsu và Tokyo Ohka Kogyo là những nhà cung cấp lớn nhất
Tokyo Electron cũng làm thiết bị để ứng dụng những chất cản quang EUV
nhưng hẳn là Nhật Bản sẽ vui hơn nếu cũng tự làm được những máy EUV 150-300 triệu đôla ấy trong nước
Kết
hoá ra cuộc đua quang khắc đã khá sít sao: Nikon gặp vấn đề lớn với EUV1 nhưng chưa phải hết hi vọng
sau rốt, cản bước Nikon là những vấn đề kinh tế và cạnh tranh, không phải công nghệ
tác giả phỏng đoán tổng chi phí cho nỗ lực EUV Nhật Bản từ năm 1999 đến 2012 là đâu đó 5-10 tỷ đôla: bao gồm chi nghiên cứu phát triển của Nikon và Canon, 90 triệu đôla ngân sách thường niên của ASET và 4 hiệp hội, và những đầu tư từ những nhà làm bán dẫn khác chưa đề cập
so với dự án VLSI [tích hợp rất lớn / very large scale integration] đã tái dựng ngành bán dẫn và sản sinh ra vị thế thống trị bán dẫn của Nhật Bản cuối thập niên 1970 tốn tổng cộng 150 triệu đôla
nếu một chính phủ nào đó muốn phát triển máy EUV riêng, ước tính sẽ tốn ít nhất 5-10 tỷ đôla cộng thêm trực tiếp được hướng dẫn và chia sẻ thông tin từ các nhà làm EUV châu Âu và Mỹ trong 10-15 năm
Không có nhận xét nào:
Đăng nhận xét