SK Hynix gọi được 26.5 tỷ USD chứng chỉ lưu ký

ngày 10 tháng 7 năm 2026 SK Hynix lên sàn NASDAQ huy động 26.5 tỷ USD qua hình thức ADR (American depositary receipt)

Chương trình tái cơ cấu các tập đoàn chaebol năm 1997
năm 1998 Hyundai và LG đàm phán việc hợp nhất mảng kinh doanh bán dẫn
năm 1999 Hyundai mua lại mảng kinh doanh bán dẫn LG
bấy giờ Hyundai Electronics nợ đâu đó 13-14 tỷ USD
năm 2000 Hyundai Electronics đạt 1.5 tỷ USD lợi nhuận hoạt động, báo lỗ ròng 2 tỷ USD bởi những chi phí tài chính của khoản nợ tiếp nhận từ thương vụ sáp nhập LG Semiconductor và tổn thất giá trị sau thâu tóm
nửa cuối thập niên 2000 bong bóng dot-com vỡ, các nhà phân tích đã gọi đây là thời điểm tồi tệ nhất cho thị trường DRAM tính từ năm 1985
thiết bị bán dẫn bấy giờ đóng góp 80% doanh thu Hyundai Electronics
năm 2001 đến hạn Hyundai Electronics trả nợ 3.1 tỷ USD
tháng 3 năm 2001 Hyundai Electronics đổi tên Hynix
tháng 8 năm 2001 Hynix chính thức tách khỏi tập đoàn Hyundai Group
tháng 10 năm 2021 ngân hàng Korea Exchange và các chủ nợ khác đã khởi động việc tái cơ cấu Hynix

Micron Technology hỏi mua nhà máy bộ nhớ
sau nhiều vòng đàm phán, lực lượng chủ nợ và lãnh đạo Hynix ký kết MoU không-ràng-buộc bán mảng kinh doanh bộ nhớ Hynix đổi lấy 108 triệu cổ phiếu Micron
cuối tháng 4 năm 2002 hội đồng quản trị 10-người của Hynix nhất trí từ chối đề nghị của Micron
năm 2003 Hynix bán mảng kinh doanh TFT-LCD cho hãng BOE ở Trung Quốc
năm 2004 Hynix tách ra mảng kinh doanh IC hệ thống, sau trở thành Magnachip sản xuất thiết bị bán dẫn điện lực
Magnachip mới hợp tác ST Microelectronics mở fab ở thành phố Vô Tích
năm 2005 lãi cao kỷ lục, cổ phiếu Hynix tăng từ 11 xu lên đến 21 USD
tháng 9 năm 2005 New York Times xuất bản bài báo, gọi Hynix là "ngôi sao lội ngược dòng" và cú hồi phục của Hynix là "phép màu"
năm 2006 giá chip nhớ vẫn cao, thị trường chờ đợi việc ra mắt hệ điều hành Windows Vista
tháng 7 năm 2007 giám đốc Kim Jong-gap công bố dự án mở rộng 300-milimet cả DRAM lẫn NAND, khi DDR2 đang tụt giá bán

Khủng hoảng tài chính năm 2008
năm 2008 Hynix báo lỗ 3.2 tỷ USD, dòng tiền giảm xuống mức nguy hiểm, trong khi Micron cũng báo lỗ 1 tỷ USD và Infineon/Qimonda phá sản
cuối năm 2008 Hynix quay lại tình trạng được cứu trợ, và ít tháng sau, các ngân hàng chủ nợ đã rao bán cổ phần kiểm soát Hynix
năm 1953 thành lập Sunkyoung Textiles làm dệt may
trong 10 năm đầu hoạt động, Sunkyoung mở rộng sang sợi tổng hợp, rồi hóa dầu
năm 1980 Sunkyoung Textiles bắt đầu việc lọc dầu, thời điểm Gulf Oil Corporation bán 50% cổ phần Korea Oil Corporation
chính phủ Hàn Quốc tư nhân hóa Korea Oil, và Sunkyoung Textiles được chọn làm đơn vị tiếp quản, một phần lý do vì chủ tịch Chey Jong-hyon giữ quan hệ thân thiết với Bộ trưởng dầu khí Ahmed Zaki Yamani của Ả Rập Xê Út

Khủng hoảng dầu mỏ thập niên 1970
khi Sunkyoung Textiles chuẩn bị việc lọc dầu, chủ tịch Chey Jong-hyon chốt được Ả Rập Xê Út cam kết cung cấp dầu mỏ và khoản vay đảm bảo 100 triệu USD từ 1 ngân hàng Ả Rập Xê Út cho thương vụ tiếp quản Korea Oil
năm 1994 Sunkyoung Textiles mua 23% cổ phần Korea Mobile Telecom, hãng dịch vụ phát sóng điện thoại di động bấy giờ được chính phủ Hàn Quốc rao bán
gói thầu Sunkyoung Textiles đưa ra giá 415 USD/cổ phiếu, so với mức giá 100 USD/cổ phiếu ở thời điểm công bố việc tư nhân hóa Korea Mobile Telecom, cho nên Sunkyoung bị coi là đã mua "hớ"
bấy giờ Korea Mobile Telecom chào bán máy nhắn tin (pager) và điện thoại ô tô, trong khi Korea Telecom nắm 71% thị phần viễn thông Hàn Quốc

Đa truy cập phân chia theo mã CDMA
tháng 1 năm 1996 SK Telecom chào bán dịch vụ CDMA (code division multiple access) đầu tiên
Chey Tae-won là cháu nội người sáng lập SK (Sunkyoung Textiles) và là con trai của chủ tịch Chey Jong-hyon
tháng 8 năm 1998 Chey Jong-hyon mất vì bệnh ung thư, Chey Tae-won đang làm ở văn phòng chiến lược SK và được thăng chức chủ tịch
thập niên 1970 chủ tịch Chey Jong-hyon thành lập Sunkyoung Semiconductor
năm 2011 Hynix báo lỗ ròng, Elpida bấp bênh
Chey Tae-won bay đến Đài Loan gặp Morris Chang sáng lập TSMC
ngày 26 tháng 1 năm 2026 Chey Tae-won xuất bản sách "the underdog story of SK Hynix: super momentum" nhắc đến câu hỏi đầu tiên Morris Chang đưa ra khi Chey Tae-won mua Hynix là "các ông có làm xưởng đúc (foundry) không?" và Chey Tae-won trả lời "không" đã khiến Morris Chang thoải mái hơn nhiều
trích sách, Morris Chang nói rằng khách hàng là thượng đế, rằng: "suy thoái càng sâu, các anh càng phải kết nối với khách; còn khi kinh tế khởi sắc, đừng bao giờ hành động như kẻ bề trên với khách"
tháng 2 năm 2012 SK thâu tóm xong 21% cổ phần kiểm soát Hynix với giá 3 tỷ USD

Mô-đun vi mạch thành phần
Chey Tae-won bay đi Icheon gặp mặt trực tiếp từng người trong số 100 giám đốc Hynix trong 1-2 giờ
trích sách, Chey Tae-won giải thích chiến lược: "mua lại Hynix, tôi muốn chuyển đổi một hãng sản xuất bộ nhớ hàng hóa thành một doanh nghiệp bán dẫn chính thống với những sản phẩm không thể bỏ qua"
Chey Tae-won tự tay viết một bản ghi nhớ, vạch ra SK Hynix tận dụng những nền tảng công nghệ vững chắc (technology chop) để bổ sung giá trị kinh tế
Morris Chang đề nghị SK Hynix làm việc chặt chẽ với khách hàng ở khâu thiết kế
năm 2006 Bryan Black xuất bản nghiên cứu "die stacking (3D) microarchitecture" thảo luận những lợi ích của việc tách "nguyên khối" (monolith) vi xử lý, và tái tích hợp (reintegrate) thành một chồng die 3D

Học sâu
năm 2006 nghiên cứu Bryan Black cũng nhắc đến lợi ích của xếp chồng die DRAM
ý tưởng như sau: hiệu năng điện toán sẽ tỷ lệ thuận số lượng dữ liệu được lấy ra từ bộ nhớ và đưa đến lõi logic (băng thông), việc di chuyển dữ liệu sẽ tốn điện năng, trong khi toàn bộ hệ thống sẽ hoạt động trong một mức điện năng nhất định, cho nên những mạch logic có thể "nhường" điện năng cho hoạt động di chuyển dữ liệu
chuẩn DRAM mới nhất là GDDR5 không đủ đáp ứng nhu cầu "học sâu" cho nên AMD tiếp cận SK Hynix để đồng-sản-xuất một kiến trúc chuẩn công nghiệp mới

Bộ nhớ băng thông rộng
HBM (high bandwidth memory) xếp chồng nhiều die nhớ DRAM lên trên một die nền logic (base die)
die "nền" được đúc bởi node quy trình logic và sẽ chứa mạch lèo lái bit đến và rời bộ xử lý
ở giữa die bộ nhớ, một vùng (region) lớn với những TSV (through silicon via) dọc sẽ xuyên qua die silic
lỗ thông mạch xuyên silic TSV kết nối những microbump kết nối các die DRAM với nhau
GTX Titan Black có 384 làn truyền dữ liệu với tốc độ 7 gigaBit/giây, tổng cộng 336 gigaByte/giây
tháng 10 năm 2013 JEDEC (joint electron device engineering council) phê duyệt HBM1 có 8 kênh bộ nhớ, được xếp chồng thành 4 tầng die, trong đó mỗi tầng có 2 kênh bộ nhớ, mỗi kênh có 128 làn, mỗi làn di chuyển ở tốc độ 1-2 gigaBit/giây
TSV ngắn hơn nhiều những dây kết nối những DRAM ngoài die, cho nên TSV cải thiện điện trở và điện năng tiêu thụ

Radeon R9 Fury X
ngày 24 tháng 6 năm 2015 AMD trình làng Radeon R9 Fury X có 4 chồng HBM1 tích hợp 22 die khác nhau từ nhiều nhà cung cấp
bấy giờ Bryan Black nói: "chúng ta sẽ chứng kiến thêm HBM trong những sản phẩm AMD. Chúng tôi không phát triển công nghệ này chỉ cho sản phẩm lần này, chúng tôi phát triển cho tương lai"
sau này Chey Tae-won nhớ lại cuộc gặp giám đốc Lisa Su điều hành AMD sau dịp trình làng Radeon R9 Fury X, rằng đã đề nghị nhiều dự án mới, ví dụ một GPU mới, nhưng Lisa Su chủ yếu muốn HBM
bấy giờ SK Hynix có thể đã không hòa vốn đầu tư thiết bị dây chuyền, nhưng Chey Tae-won chiều ý AMD và tiếp tục phát triển HBM bất chấp rủi ro tài chính ngắn hạn

Thị trường ngách
tháng 3 năm 2015 tại hội chợ công nghệ Nvidia, SK Hynix triển lãm wafer nguyên mẫu HBM2 đầu tiên, dự kiến giữa năm 2016 trình làng
cuối năm 2015 Samsung Electronics công bố phát triển HBM2
HBM2 gấp đôi hiệu năng, một phần nhờ tăng tốc độ di chuyển dữ liệu mỗi-đầu-nối (per-pin) thô và băng thông mỗi chồng
HBM1 bán không chạy lắm, đội ngũ SK Hynix tìm cách cải thiện giá thành HBM2 bằng cách đánh cược vào việc nâng cấp từ node quy trình 20-nanomet cao (2x) lên node quy trình 20-nanomet thấp (2z), bỏ qua node quy trình 20-nanomet giữa (2y)
cuối năm 2015 ETNews đăng tin Samsung và SK Hynix đều ở giai đoạn cuối của việc phát triển HBM2 dự kiến năm 2016 sản xuất hàng loạt
thay đổi cấu hình sản phẩm ở những phút cuối, SK Hynix chuyển hướng thiết kế, tốc độ TSV giảm còn 500 megaBit/giây chủ yếu vì điện dung lớn
SK Hynix dự kiến mở bán 2 phiên bản, một 2 gigaBit/giây và một 1.6 gigaBit/giây, nhưng những cập nhật hằng quý sau đó đã liên tục đẩy lùi ngày ra mắt
sau rốt SK Hynix hủy sản phẩm 2 gigaBit/giây
thay đổi thiết kế cập dập cũng khiến SK Hynix không kịp tối ưu việc đóng gói, dẫn đến sự cố: die gãy trong quá trình xếp chồng, die bị cắt sai khỏi wafer
trung bình HBM2 đạt 50% hiệu suất
năm 2018 SK Hynix trình làng HBM2, sản phẩm đã không đạt chất lượng khách hàng
giám đốc Park Sung-wook viếng thăm 1 khách hàng để thảo luận, và được đón nhận bởi "thái độ chỉ trích cay nghiệt"
chậm trễ 1 năm rưỡi, đội ngũ HBM2 thay đổi 3 đời giám đốc thiết kế
cuối thập niên 2010 nhu cầu HBM chủ yếu cho việc "đào" tiền mã hóa
sau khi HBM2 vào sản xuất hàng loạt, SK Hynix đầu tư 400 triệu USD fab đóng gói P&T4
năm 2018 giá bitcoin còn 5000 USD

HBM2E
giữa năm 2018 SK Hynix phát triển bộ nhớ băng thông rộng thế hệ 3 với chú trọng "tất tay" vào hiệu năng, không quan tâm chi phí
HBM2E gấp đôi số lượng TSV, thêm "mối nối" (bump) nhiệt "giả" (không dẫn điện) vừa làm giá đỡ (ở các vùng trống và cạnh rìa) vừa làm cầu dẫn nhiệt bổ sung
thay đổi lớn nhất là ở cách đóng gói những chồng die HBM
so với DRAM thông thường, việc đóng gói HBM đã thêm 100 bước quy trình và lâu hơn gấp đôi
chip được kết nối nhờ những microbump, một đầu hàn (solder cap) được áp lên một cột đồng (copper pillar) bên trong mỗi mối nối (bump)
ghép các die với nhau rồi nung nóng, những đầu hàn sẽ nóng chảy và nối các microbump để kết nối các die
sau khi kết nối, vẫn còn 10-50 micromet khoảng trống giữa các mối nối (bump) sẽ được lấp bởi "chất nhựa đệm lớp lót" (underfill) giảm chấn khi vật liệu co giãn bởi nhiệt
xong, toàn bộ chip được bọc (encapsulate) trong khuôn (overmold)

Ép nhiệt kết hợp màng không-dẫn-điện TC-NCF
SK Hynix sử dụng TC-NCF (thermal compression with non-conductive film) ở bước kết nối (bond) và lấp chất đệm (underfill)
trước khi kết nối (bond), người ta "ép màng keo không-dẫn-điện" (laminate non-conductive adhesive film) làm từ hỗn hợp nhựa epoxy và nhựa acrylic lên một die
sau đó SK Hynix gióng (align), xếp chồng và ép chặt (áp lực 40 cân) những die trong khi nung nóng lên nhiệt độ cao
TC-NCF đã kết hợp các bước kết nối (bond) và lấp đệm (underfill) vào cùng 1 bước duy nhất, sử dụng màng (film) thay vì chất dán (paste) giúp cách điện tốt, giảm rủi ro đoản mạch và làm ra một lớp đồng đều không-lỗ-trống (void)
TC-NCF cần lưu ý đến lực nối (bonding force), nhiệt nối (bonding temperature), tốc độ tăng nhiệt (temperature ramp up) và thời gian lưu nhiệt (dwell time) cho mối hàn nóng chảy để nối
TC-NCF chỉ nối 1 die với 1 die mỗi lần, trong khi HBM chồng 5-9 die trong đó có 1 base die, chỉ cần 1 TSV hỏng kết nối là toàn bộ 9 die vứt đi
HBM2E nhiều TSV và mối nối "giả" trên die hơn HBM2 cho nên cần áp lực cao hơn để đảm bảo tất cả mối nối (bump) kết nối, thêm rủi ro die gãy và vấn đề chất lượng

Hàn nóng chảy hàng loạt kết hợp bơm keo lót mao dẫn MR-CUF
năm 2019 SK Hynix thử phương pháp "hàn nóng chảy hàng loạt" (mass reflow) kết nối tất cả microbump trong cùng 1 bước
với "chất nhựa đệm lớp lót", SK Hynix nghiên cứu phương pháp "bơm keo lót mao dẫn" (capillary underfill) sau MR, bơm chất lỏng underfill ở những cạnh của chip, cho "hiệu ứng mao dẫn" điền đầy underfill vào tất cả các chỗ trống, rồi sấy nhiệt để làm đông cứng underfill lót đệm chip
MR-CUF lặp lại quy trình mao dẫn và sấy cho mỗi die trong chồng, lần lượt

Hợp chất đúc bảo vệ kết hợp nhựa đệm lớp lót MUF
MR-CUF được nửa năm, SK Hynix chuyển sang MUF (molded underfill) kết hợp các bước underfill và overmold nhờ một vật liệu đúc đặc biệt
với MUF thông thường, vật liệu đúc EMC (epoxy molding compound) được đưa vào là một nhựa resin trộn những hạt lấp (filler particle)
EMC chảy qua cả giữa những chỗ trống lẫn lên toàn bộ chip, xong được sấy-nhiệt (heat-cure)
MUF rủi ro tạo ra những chỗ trống (void) cho nên trước đó chỉ được dùng cho những die đơn, chứ không phải DRAM chồng 8-die

Hàn nóng chảy hàng loạt kết hợp nhựa đệm lớp lót bọc khuôn
không tồn tại thiết bị hay vật liệu MR-MUF (mass reflow - molded underfill) nên SK Hynix đồng-phát-triển mọi thứ từ đầu
thiết bị đúc (mold) được sản xuất với hợp tác của Towa, vật liệu EMC được phát triển với đối tác NAMICS và đã cần đế 50 mẻ thử nghiệm
đầu năm 2019 SK Hynix giới thiệu MR-MUF cho khách, khách hàng đã quan ngại
tháng 8 năm 2019 SK Hynix công bố sẵn sàng MR-MUF cho sản xuất hàng loạt HBM2E
năm 2021 SK Hynix trình làng HBM3 với các phiên bản 8-lớp và 12-lớp đạt tốc độ 819 gigaByte/giây

ChatGPT
trước OpenAI, HBM chỉ chiếm 1.5-2% thị phần DRAM
cuối thập niên 2010 ngành đã thống nhất rằng tương lai nằm ở việc phục vụ AI và mô hình học máy cho các thiết bị cận biên (edge) như internet vạn vật, 5G không dây
thay vì HBM3, Samsung chọn tập trung vào HBM-PIM (processing in memory) khắc phục nút nghẽn cổ chai Von Neumann bằng cách tích hợp bộ xử lý AI có-thể-lập-trình vào bộ nhớ, cần nỗ lực phần mềm và một giải pháp suy luận cận biên (edge inference) phù hợp cho tác vụ nhận diện giọng nói hoặc thị giác máy tính
tháng 9 năm 2022 SK Hynix công bố mở rộng xưởng đúc M15X ở thành phố Cheongju kế bên M15
sớm sau đó, lỗ sau covid 19 đã buộc SK Hynix tạm dừng M15X để ưu tiên xưởng đúc ở thành phố Yongin dự kiến khánh thành năm 2027
ngày 30 tháng 11 năm 2022 OpenAI trình làng ChatGPT, SK Hynix là doanh nghiệp cung cấp HBM3 duy nhất
quý 4 năm 2022 SK Hynix báo 1.5 tỷ USD lỗ hoạt động, sau đó là 3 quý lỗ nữa
mùa xuân năm 2023 khách hàng săn đón HBM3: cứ mỗi lần Chey Tae-won gặp khách, SK Hynix lại phải đẩy sớm lịch phát triển, đến nỗi Chey Tae-won đùa rằng "sợ" gặp bất cứ ai
xưởng đúc (fab) đóng gói P&T4 (package & test) không đủ đáp ứng HBM3, SK Hynix chuyển hàng trăm thiết bị đến một phòng sạch bỏ trống trên tầng 2 xưởng đúc Cheongju M15, vốn được dự kiến cho NAND, được chuyển đổi sang đóng gói HBM back-end chỉ trong nửa năm
SK Hynix đầu tư 4 tỷ USD tái khởi động M15X cho DRAM
ngày 3 tháng 4 năm 2024 SK Hynix công bố dự án fab đóng gói 4 tỷ USD ở tiểu bang Indiana
với DRAM được bán ở mức giá đắt đỏ, SK Hynix công bố dự án dài-hạn đầu tư 814 tỷ USD cho cụm công nghiệp ở Cheongju và Yongin cùng với một cụm mới ở miền tây nam Hàn Quốc
trả lời phỏng vấn xuất bản sách, Chey Tae-won nhớ lại rằng đã hứa với cha sẽ gây dựng một doanh nghiệp sánh vai các doanh nghiệp Nhật Bản hàng đầu